[더밸류뉴스=김호겸 기자]

디시오(대표이사 강미선)가 국내 최초 1700볼트(V)급 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGVBT) 개발에 성공했다.

디시오는 국제전력기술 엑스포인 '빅스포(BIXPO)'에 참가해 차세대 전력 반도체를 소개했다고 11일 밝혔다.

디시오는 국제전력기술 엑스포인 빅스포에 참가해 차세대 전력 반도체를 소개했다. [사진= 디시오]

국내 최대 에너지 산업 박람회인 빅스포는 올해 10회차로 지난 6일부터 8일까지 광주 김대중컨벤션센터에서 열렸다. ‘에너지 미래로 향하는 여정’이라는 주제로 열린 올해 행사에는 2만명이 등록했으며 국제 발명 특허대전, 국제 컨퍼런스 등으로 진행됐다.

디시오의 IGBT는 최적화된 설계로 전도(conduction) 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화하고 고주파수 스위칭 동작에서의 효율성을 향상시킨다. 디시오는 IGBT가 △에너지저장장치(ESS)의 전력변환장치(PCS) △태양광 인버터 △전기차(EV) 충전 전력변환 △무정전 전원공급장치(UPS) 등과 같은 에너지 인프라 산업응용에 적용된다고 설명했다.

디시오 강미선 대표는 "고전압, 고효율 전력 반도체는 국내 기업들이 취약한 분야"라며 "적극적인 연구개발(R&D)을 통해 전력반도체 분야에서 선도적인 기업이 될 것"이라고 말했다.

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