[더밸류뉴스=황기수 기자]

삼성전자(사장 경계현)가 5세대 HBM(고대역폭메모리) 12단 개발에 성공하며 고용량 HBM 시장 선점에 나선다.

삼성전자의 HBM3E 12H D램 제품. [사진=삼성전자] 

삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 '36GB(기가바이트) HBM3E 12H'를 구현했다고 27일 밝혔다.

'HBM3E 12H'는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 'HBM3 8H' 대비 50% 이상 개선됐다.

12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해낸 것은 삼성전자의 '열압착 비전도성 접착 필름(Advanced TC NCF)' 기술이다. '열압착 비전도성 접착 필름' 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있다. 

삼성전자는 NCF 소재 두께도 낮춰 '7um(마이크로미터)'의 칩 간 간격을 구현했으며, 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 완성했다. 또 삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양화하며 공극없이 적층하는 기술력도 선보였다.

HBM3E 12H는 인공지능(AI) 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 그래픽처리장치(GPU) 사용량을 감소시켜 기업들의 리소스 관리를 용이하게 할 것으로 기대된다. 

배용철 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 HBM3E 12H를 올해 상반기부터 양산할 예정이며, 현재 샘플을 고객사에게 제공하고 있다.

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