[더밸류뉴스=문성준 기자]

삼성전자(대표이사 한종희 경계현)가 3일 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 공정을 발표하고 향후 나노 공정 도입 계획을 밝혔다. 

3일 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성전자 파운드리 포럼 2022’에서 최시영 파운드리사업부장이 발표를 진행하고 있다. [사진=삼성전자]

코로나19의 영향으로 3년만에 오프라인으로 열린 삼성 파운드리 포럼은 팹리스 고객∙협력사∙파트너 등 500여명이 참석한 가운데 진행됐다. 이날 행사에서 삼성전자는 △기술 혁신 △응용처별 최적의 공정 적용 △맞춤형 서비스 △안정적 생산 능력 확보 등 파운드리 경쟁력 강화 내용들을 발표했다. 

삼성전자는 지난 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고, 지난 6월에는 3나노 1세대 공정 양산을 시작하는 등 파운드리 공정 혁신에 나서왔다. 앞으로 공정 혁신을 지속해 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 공정 혁신과 동시에 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 박차를 가한다. 

반도체 시장 다각화도 나선다. 삼성전자는 HPC(High Performance Computing), 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 공략해 비 모바일 판매 비중을 50% 이상으로 올릴 예정이다. 

‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 팹리스 고객 및 협력사 직원들이 전시물들을 둘러보고 있다. [사진=삼성전자]

또 향상된 성능과 신속한 납기, 가격경쟁력까지 갖춘 맞춤형 서비스를 강화해 새로운 팹리스 고객을 발굴하고, 신규 고객도 적극 유치한다. 

이를 위해 2027년까지 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대한다. 삼성전자는 현재 평택, 화성과 미국 테일러에서 선단 공정 파운드리 제조 공정을 운영하고, 화성∙기흥과 미국 오스틴에선 성숙 공정을 양산하고 있다. 향후 쉘 퍼스트 라인(Shell First, 선제적 클린룸과 탄련적인 설비 투자를 갖춘 생산라인)을 지속 확대할 계획이다. 

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